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主要用途
扩散/氧化系统可广泛应用于半导体器件、集成电路制造过程中各种扩散、氧化、退火及合金工艺，也适用于对其它材料的特殊温度处理，是一种适用于长时间连续工作、高精度、高稳定性的自动控制设备。
气源供给
液态源\固态源扩散,隐埋扩散
干、湿氧化及氢氧合成氧化
外燃式氢氧合成氧化，确保大尺寸硅片上氧化膜的均匀性
退火及合金工艺
微控或程控方式
根据用户要求配制气路
连接方式 ：双卡套、VCR可选择
自控系统
触摸屏操作,无需键盘鼠标
精美的操作界面
关键部件运行的图形显示
完整可靠的工艺控制程序
串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度(可选择)
恒温区自调整
可存储100多条工艺曲线(微控系统)
安全可靠的氢氧合成保护(不同型号配置不同)
主要技术指标
炉膛尺寸： 适用于2"～8"硅片
恒温区长度：800mm、600mm、400mm
恒温精度： ≤±0.5℃(800℃～1280℃)
恒温区稳定性：≤±0.5℃/24h(800℃～1280℃)
最大降温速率：炉温高于1000℃, 6℃/Min
炉温高于600℃, 3℃/Min
扩散炉